廣西超大功率瞬態抑制二極管應用
在規定的反向應用條件下，當承受一個高能量的瞬時過壓脈沖時，其工作阻抗能立即降至很低的導通值，允許大電流通過，并將電壓箝制到預定水平，從而有效地保護電子線路中的精密元器件免受損壞。TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦，其箝位響應時間*為1ps（10^-12S）。TVS允許的正向浪涌電流在T=25℃，T=10ms條件下，可達50～200A。雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率，并把電壓箝制到預定水平，雙向TVS適用于交流電路，單向TVS一般用于直流電路。TVS和齊納穩壓管都能用作穩壓，但是齊納擊穿電流更小，大于10V的穩壓只有1mA。廣西超大功率瞬態抑制二極管應用
TVS管在穩壓管工藝基礎上發展起來的新產品，是一種新型的高效電路保護器件之一，具有P秒級的響應時間和高浪涌吸收能力；而穩壓二極管，利用pn結反向擊穿狀態，在電流變化范圍內，保持電壓穩定所研發出來穩壓作用的二極管。共同點：在一定范圍內，能限制兩端的電壓；長時間運作耐流值幾乎一樣，均跟體積功耗相關聯。工作原理不同：tvs管：雪崩效應，在高能量的瞬時過壓脈沖時，阻抗能立馬降低到很低的導通值，允許較大電流通過，并將電壓箝制到預定水平，避免電路中的精密元器件免受損壞。穩壓管：齊納隧道效應，當反向電壓達到并超過穩定電壓時，反向電流突然增大，而二極管兩端電壓恒定。廣東3000W瞬態抑制二極管測試TVS具有體積小、功率大、響應快、無噪聲、價格低等諸多優點。
TVS的瞬態功率一般以8/20us或10/1000us的波形來衡量。8/20us是雷擊浪涌的一種波形通常以內阻2歐姆的一個短路電流波形,上升前沿在8uS,峰值電流下降沿1/2處保持在20uS.即充電1KV輸出500A的電流波形.現在較多的已經是組合波模式,即短路電流波形為8/20uS,開路電壓波形為1.2/50uS..10/1000uS也是一種浪涌波形,以現在執行的標準是短路電流波形與開路電壓波形都需要符合前沿時間10uS半值時間1000uS,內阻10歐姆.即充電1KV輸出100A的電壓及電流波形。
長時間工作耗損對篩選合格的TVS器件進行浪涌壽命試驗，發現TVS器件經過成千上萬次標準指數脈沖(所能承受的浪涌脈沖次數與質量等級相關)沖擊后失效，失效模式通常為短路。對失效樣品進行解剖后，在掃描電鏡下觀察芯片，發現結邊緣發生熔融現象和結邊緣焊料結構發生了變化，且結**邊緣處**為嚴重。失效機理可能結邊緣焊料形成金屬化合物而脆化，使管芯與底座熱沉逐漸分離，結邊緣的散熱能力降低，長時間工作結溫持續增大導致過熱燒毀。當TVS經過成千上萬次的標準脈沖沖擊后失效，失效模式為短路。
PN結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR等的反向阻斷能力都直接取決于PN結的擊穿電壓，因此，PN結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除superjunction之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在PN結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的PN結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。SOD-123封裝的TVS一般有SMF，TPSMF，SMF4L等。廣東3000W瞬態抑制二極管測試
臺面缺陷損傷的TVS 器件經過溫度循環和沖擊等篩選試驗后，電參數測試時通常表現為短路或擊穿特性異常。廣西超大功率瞬態抑制二極管應用
5、對于數據接口電路的保護，還必須注意選取具有合適電容C的TVS器件。6、根據用途選用TVS的極性及封裝結構。交流電路選用雙極性TVS較為合理；多線保護選用TVS陣列更為有利。7、溫度考慮。瞬態電壓抑制器可以在－55~+150℃之間工作。如果需要TVS在一個變化的溫度工作，由于其反向漏電流ID是隨增加而增大；功耗隨TVS結溫增加而下降，從+25℃到+175℃，大約線性下降50%雨擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數增加。因此，必須查閱有關產品資料，考慮溫度變化對其特性的影響。廣西超大功率瞬態抑制二極管應用
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