1）增感劑（光引發劑）：是光刻膠的關鍵成分，對光刻膠的感光度、分辨率起著決定性作用。2）感光樹脂（聚合劑）：用于將光刻膠中不同材料聚合在一起，構成光刻膠的骨架，決定光刻膠的硬度、柔韌性、附著力等基本屬性。3）溶劑：是光刻膠中比較大成分，目的是使光刻膠處于液態，但溶劑本身對光刻膠的化學性質幾乎無影響。4）助劑：通常是專有化合物，主要用來改變光刻膠特定化學性質。根據應用領域，光刻膠可分為半導體光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠，其技術壁壘依次降低（半導體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠）。從國產化進程來看，PCB光刻膠目前國產替代進度較快，LCD光刻膠替代進度相對較快，而在半導體光刻膠領域國產技術較國外先進技術差距比較大。氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成。在制造高質量微電子設備時非常有用。昆山干膜光刻膠溶劑

光刻膠行業具有極高的行業壁壘，因此在全球范圍其行業都呈現寡頭壟斷的局面。光刻膠行業長年被日本和美國專業公司壟斷。目前大廠商就占據了全球光刻膠市場 87%的份額，行業集中度高。其中，日本 JSR、東京應化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導體光刻膠技術亦基本被日本和美國企業所壟斷，產品絕大多數出自日本和美國公司，如杜邦、JSR 株式會社、信越化學、東京應化工業、Fujifilm，以及韓國東進等企業。整個光刻膠市場格局來看，日本是光刻膠行業的巨頭聚集地。蘇州i線光刻膠光引發劑光刻膠發展至今已有百年歷史，現已用于集成電路、顯示、PCB 等領域，是光刻工藝的重要材料。

在半導體集成電路制造行業；主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。在大規模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過預烘、涂膠、前烘、對準、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環節，將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到硅片上。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的重要材料。

光刻膠屬于半導體八大重要材料之一，根據全球半導體行業協會（SEMI）近期數據，光刻膠在半導體晶圓制造材料價值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計占比12%，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，目前被用于光電信息產業的微細圖形線路加工制作環節。光刻膠由增感劑（光引發劑）、感光樹脂（聚合劑）、溶劑與助劑構成。根據應用領域不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導體光刻膠，技術門檻逐漸遞增。

歷史上光刻機所使用的光源波長呈現出與集成電路關鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長**短的兩個譜線。高壓汞燈技術成熟，因此很早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發光化學反應、提高光刻分別率。以研究光譜而聞名的近代德國科學家約瑟夫·弗勞恩霍夫將這兩種波長的光譜分別命名為G線和I線。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術命名的由來。目前，我國光刻膠自給率較低，生產也主要集中在中低端產品，國產替代的空間廣闊。上海半導體光刻膠集成電路材料

彩色光刻膠及黑色光刻膠市場也呈現日韓企業主導的格局，國內企業有雅克科技、飛凱材料、彤程新材等。昆山干膜光刻膠溶劑

中美貿易摩擦：光刻膠國產代替是中國半導體產業的迫切需要；自從中美貿易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產業。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”，是國產代替重要環節，也是必將國產化的產品。光刻是半導制程的重要工藝，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到決定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配。現在，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。昆山干膜光刻膠溶劑

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